坂本　直道
大学院◎生命理工学専攻　教員プロフィール
坂本　直道 教授／博士（工学）
さかもと　なおみち.　SAKAMOTO Naomichi
◎薬学部 教授
sakamoto@isu.ac.jp

学生・受験生へのメッセージ

【メッセージ】
研究活動において最も重要な要素は「新規性」です。この世で誰も知らなかった事実を明らかにする。どの論文にも載っておらず、どんな専門書にも載っていないことを明らかにする。これって楽しいです。
【研究テーマ】
本研究室では医療系材料、特に放電プラズマ焼結法を応用した多孔質セラミックス材料や新しいコーティング材・法の創製にスポットを当てています。
1. ドライプロセスによるサイリシアの作製
2. 廃棄火山灰を有効活用した高機能吸着材の開発
3. DLCコーティングされた超硬基材の一括成形

◎略歴
1992年3月　東京理科大学基礎工学部材料工学科卒業
1994年3月　東京理科大学大学院基礎工学研究科材料工学専攻修士課程修了
1995年3月　東京理科大学大学院基礎工学研究科材料工学専攻博士課程中途退学
1995年4月　いわき明星大学理工学部電子工学科　助手
2006年9月　東京理科大学大学院基礎工学研究科材料工学専攻博士課程終了
　　　　　博士（工学）
2015年4月　医療創生大学薬学部薬学科　准教授
2021年4月　医療創生大学薬学部薬学科　教授
◎担当授業科目
物質構造特論（修士課程 物質理学コース）
◎専攻研究分野
【研究内容】
（1）ドライプロセスによるサイリシアの作製
ドライプロセスを用いたサイリシアの創製を試みる。口腔内崩壊錠などに応用されるサイリシアは，多孔質ケイ素の粉末で有り，通常ゾルゲル法を用いて製造される．ゾルゲル法とは，流動性媒体中にコロイド粒子が分散したゾルから、粒子の凝集・凝結により流動性を消失したゲルを経て材料を得る方法であり，通常，酸やアルカリの溶媒を大量に使用するドラプロセスを経て製造される．このサイリシアを，ドライプロセスである放電プラズマ法を用いて作製することを目的とする。

（2）廃棄火山灰を有効活用した高機能吸着材の開発
ゼオライトは吸着剤として広く使用されてきたが，近年有害物質の除去に有効とされる廃棄火山灰に着目した．本研究では，放射能汚染水から放射性セシウムを安全・簡便に除去できる吸着材の開発を目的とし，廃棄火山灰を放電プラズマ焼結（SPS）法で焼結し，高性能の吸着剤を創製する。

（3）DLCコーティングされた超硬基材の一括成形
人工骨や間接に用いられるセラミックス機材の焼成と，生体親和性の高いダイヤモンドライクカーボンコーティングの一括焼成を目的とする。
◎主な研究業績
[原著論文]
  1. Dynamics of colliding laser ablation plumes in background gas Ikurou Umezu, Yusuke Hashiguchi, Hiroshi Fukuoka, Naomichi Sakamoto, Tamao Aoki, Akira Sugimura, Appl. Phys. A, 122, 285, 1{4 (2016).
  2. Diamond-like carbon sintered compacts formed by spark plasma sintering, Naomichi Sakamoto,, Shigenari Shida, Diamond Relat. Mater., 50, 97{102 (2014).
  3. 福島第一原子力発電所事故による汚染土壌からの放射性セシウムの除去と吸着, 佐藤健二, 瀧内伸, 角田美里, 鈴木龍馬, 佐々木秀明, 坂本直道, 分析化学, 62, No. 6, 535{540 (2013).
  4. Effects of collision between two plumes on plume expansion dynamics during pulsed laser, ablation in background gas, Ikurou Umezu, Naomichi Sakamoto, Hiroshi Fukuoka, Yasuhiro Yokoyama, Koichiro Nobuzawa and Akira Sugimura, Appl. Phys. A, 110, 629{632 (2013).
  5. 放電プラズマ焼結法によるシリコン研削スラッジの高純度化, 坂本直道, 安野拓也, 玄場公規, 松宮裕介, 林正裕, 粉体粉末冶金協会誌, 57, No.3, 152-157 (2010).
  6. 結晶構造の分析に適用可能な三次元ウェーブレットの構築, 遠藤智子, 坂本直道, 安野拓也, 武川直樹, 電子情報通信学会論文誌A, J92-A, No.8, 540-550 (2009).
  7. Analysis on microstructure of interface layer in DLC/Si structures produced by FIB-CVD, Naomichi Sakamoto, Yasuo Kogo, Takuya Yasuno, Jun Taniguchi, Iwao Miyamoto, Diamond Relat. Mater., 17, 1706-1709 (2008).
  8. Influence of compressive load on microstructure of micro-scaled DLC structures produced by FIB-CVD, N. Sakamoto, Y. Kogo and T. Yasuno, J. Phys. Conf. Ser., 106, 012012 (2008).
  9. Optimization of Processing Condition for Deposition of DLC Using FIB-CVD Method, Naomichi SAKAMOTO, Yasuo KOGO, Takahiro YAGI, Takuya YASUNO, Jun TANIGUCHI and Iwao MIYAMOTO, JSME International Journal, Series C, 49, No. 2, 361-369 (2006).
  10. FIB-CVD 法を用いて作製したDLC 膜の微細構造解析, 坂本直道, 向後保雄, 安野拓也, 八木貴弘, 谷口淳, 宮本岩男, 精密工学会誌, 71, No. 11, 1383-1387 (2005).
  11. Influence of Heat Treatment on Mechanical Properties of DLC Deposited by FIB-CVD, Naomichi Sakamoto, Yasuo Kogo, Takuya Yasuno, Jun Taniguchi and Iwao Miyamoto, JSME International Journal, Series A, 48, No. 4, 275-279 (2005).
  12. FIB-CVD 法によるDLC 成形プロセスとその特性評価, 向後保雄, 坂本直道, 八木貴弘, 安野拓也, 谷口淳, 宮本岩男, 材料, 54, 987-992 (2005).
  13. Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO2(100) and CeO2(110) Layers on Si(100) substrates, T. Inoue, N. Sakamoto, M. Ohashi, S. Shida, A. Horikawa and Y. Sampei, J. Vac. Sci. Technol, A 22, 46-48 (2004).
  14. Orientation selective epitaxial growth of CeO2 layers on Si(100) substrates using reactive DC magnetron sputtering with substrate bias, Tomoyasu Inoue, Masayuki Ohashi, Naomichi Sakamoto, Shigenari Shida, J. Crystal Growth, 271, 176-183 (2004).
  15. Studies on inclined nuclei as a cause of crystallinity deterioration in epitaxial CeO2(110) layers on Si(100) substrates, Tomoyasu Inoue, Shigenari Shida, Naomichi Sakamoto, Akihiro Horikawa and Masayuki Ohashi, J. Crystal Growth, 253, 366-373 (2003).
  16. Growth of CeO2 Films on Glass Substrates Using Electron-Beam-Assisted Evaporation, Naomichi Sakamoto, Tomoyasu Inoue, and Kazuhiro Kato, Cryst. Growth Des., 3(2), 115-116 (2003).
  17. N-type (P,Sb) and p-type (B) doping of hydrogenated amorphous Si by reactive rf co-sputtering, Y. Ohmura, M. Takahashi, M. Suzuki, A. Emura, N. Sakamoto, T. Meguro, and Y. Yamamoto, Phys. Stat. Sol. (b), 235, 111-114 (2003).
  18. Origin of crystalline quality deterioration in epitaxial growth of CeO2 layers on Si substrates, Tomoyasu Inoue, Nomichi Sakamoto, Akihiro Horikawa, Hirofumi Takakura, Kosei Takahashi, and Masayuki Ohashi, Sigenari Shida, J. Vac. Sci. Technol., A21, 1371-1375 (2003).
  19. Photoluminescence properties of amorphous silicon-based oxygen and hydrogen alloys, Ikurou Umezu and Ken-ichi Yoshida, Naomichi Sakamoto, Takatoshi Murota and Yoshiaki Takashima, Mitsuru Inada, Akira Sugimura, J. Appl. Phys., 91, 2009-2013 (2002).
  20. Effect of structure on radiative recombination processes in amorphous silicon suboxide prepared by rf sputtering, Ken'ichi Yoshida, Ikurou Umezu, Naomichi Sakamoto, Mitsuru Inada and Akira Sugimura, J. Appl. Phys., 92, 5936-5941 (2002).
  21. P-type doping of hydrogenated amorphous silicon lms with boron by reactive radio-frequency co-sputtering, Y. Ohmura, M. Takahashi, M. Suzuki, N. Sakamoto, T. Meguro, Physica B, 308-310, 257-260 (2001).
  22. Post hydrogenation of sputtered amorphous silicon by pressurized water boiling Naomichi Sakamoto, Yamichi Ohmura, J. Non-Cryst. Solids, 266-269, 146-149 (2000).
  23. Surface morphology analysis in correlation with crystallinity of CeO2 (110) layers on Si(100) substrates, T. Inoue, T. Nakamura, S. Nihei, S. Kamata, N. Sakamoto and Y. Yamamoto, J. Vac. Sci. Techonol., A 18, 1613-1618 (2000).
  24. Optical Bond Gap and Tauc Gap in a-SiOx:H and a-SiNx:H Films, Ikurou UMEZU, Ken-ichi MIYAMOTO, Naomichi SAKAMOTO and Keiji MAEDA, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 4A, 1753-1758 (1995).
  25. A comparative study on structural and electronic properties of PECVD a SiOx with a-SiNx, Keiji Maeda, Naomichi Sakamoto, Ikurou Umezu, J. Non-Cryst. Solids, 187, 287-290 (1995).
◎主な学会活動
応用物理学会
American Vacuum Society
ニューダイヤモンドフォーラム
◎その他

CLOSE
BACK